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上海钫铖微电子有限公司共申请了25个专利, 10个已经授权, 最早的申请的专利是 高速串行接口芯片的非线性度测试方法及其装置, 最近申请的专利是超高速相位插值器的误差校准方法。

上海钫铖微电子有限公司最新专利

上海钫铖微电子有限公司所有的专利

用于Serdes发射机的脉冲产生电路

CN121012468A

申请日期:2025-08-19

本申请涉及集成电路技术领域,公开一种用于Serdes发射机的脉冲产生电路,包括:单脉冲生成模块,包括第一至第四晶体管,第一晶体管栅极接收数据信号,源极连接地端;第四晶体管栅极接收多相位时钟信号中的一路相位时钟信号,第二和第三晶体管栅极接收另一路相位时钟信号;第二至第四晶体管漏极均相连并输出非满摆幅单脉冲信号;伪静态选择器,包括第五至第七晶体管,第五晶体管的栅极接收复位信号,源极连接抬升电压;第六和第七晶体管的栅极各自连接一个单脉冲生成模块的输出端,第五至第七晶体管的漏极相连并输出满摆幅单脉冲信号;电流模驱动模块,包括第八至第十晶体管,第八和第九晶体管的栅极各自连接伪静态选择器的输出端,第八晶体管的栅极接偏置电压,源极输出驱动电流。本申请可以提高脉冲建立的速度,降低驱动模块电路的复杂性和成本。

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高速串行接口芯片的非线性度测试方法及其装置

CN114079459B

申请日期:2020-08-12

本申请公开了一种高速串行接口芯片的非线性度测试方法及其装置,几乎不需要任何测试设备,测试成本极低。该方法包括:提供第一本振时钟至数据源,提供第二本振时钟至待测芯片,所述第一本振时钟与所述第二本振时钟的频率不同;所述数据源输出数据信号至所述待测芯片,所述待测芯片包括时钟与数据恢复电路;所述时钟与数据恢复电路锁定后,对所述待测芯片生成的控制数码进行采样,计算所述控制数码的统计值并根据所述统计值计算差分非线性度和积分非线性度。

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超高速相位插值器的误差校准方法

CN121012506A

申请日期:2025-08-20

本申请涉及高速串行接口芯片领域,公开了一种超高速相位插值器的误差校准方法。该方法包括幅度校准、边沿寻找、参考时钟延时校准、多相位循环校准及线性插值等步骤,利用参考时钟上升沿过零点作为高精度时间基准,对选定离散相位的延时控制字进行逐一调整,并通过线性插值生成覆盖全相位范围的映射查找表,实现对相位插值器非线性误差的补偿。本申请能够在芯片正常运行前完成高精度线性度校准,显著提升时钟恢复精度,将非线性误差由±1.5LSB降低至±0.5LSB,降低系统误码率,且功耗与面积开销低。

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超高速数模转换器(DAC)的脉宽误差校准方法

CN121012505A

申请日期:2025-08-20

本申请涉及高速数模转换技术领域,公开了一种超高速数模转换器的脉宽误差校准方法。该方法在多子DAC的时间交错架构中,通过目标采样、分时采点、相关性分析及最小均方(LMS)自适应算法,实现对脉宽误差的高精度补偿。方法创新性地引入“提前数点”策略,利用测试信号周期性预测采样位置,避免大规模寄存器存储,实现低硬件开销的数据获取。通过对相邻采样点差分消除理想值与信道反射效应,并结合带宽补偿因子精确更新脉宽误差控制字,仅作用于对应子DAC。该方案在Matlab仿真中将脉宽误差由约1ps降低至约50fs,具备高精度、低功耗、强稳定性及小面积占用的优点,适用于高速串行接口芯片及相干/非相干光芯片。

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应用于超高速SerDes接收器的模拟前端电路

CN120934466A

申请日期:2025-07-28

本申请涉及集成电路技术领域,公开了一种应用于超高速SerDes接收器的模拟前端电路,其跨阻放大器包括一对输入晶体管,其栅极相连并连接有由第一电感和第二电感构成的T线圈,第一电感的一端连接栅极且并联连接第二电容,另一端接收前级输入且并联连接第二电感的一端和第一电容,其漏极相连并连接有由第五电感和第六电感构成的T线圈,第六电感的一端连接漏极且并联连接第三电容,另一端输出放大信号且并联连接第五电感的一端和第四电容;第二电感的另一端和第五电感的另一端直接串联有第一电阻和第三电感。本申请通过优化零极点补偿高频损耗并优化阻抗匹配减少反射,较好地保证了信号的完整性。

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上海钫铖微电子有限公司专利详情

上海钫铖微电子有限公司发明人

李承哲

蔡敏卿

姚豫封

王浩南

徐豪杰

曾磊

杨展鹏

葛云龙

陈晨

罗鲍

胡新荣

余燎原

姚玉征

苏海

蔡同健

黄永恒

冯飞

周洁

孙书明

张逸聪

代理机构评级

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上海一平知识产权代理有限公司

代理人评级

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成春荣

竺云

吴珊

专利分析

查看更多分析

专利统计

发明申请: 25 发明授权:10 发明人:29

说明:上海钫铖微电子有限公司专利 - 数量和排名是专利顾如统计了全球所有最新的上海钫铖微电子有限公司专利得到的分析。专利顾如同时分析了全球上海钫铖微电子有限公司专利的相关技术。数据仅供参考,如果引用,请标注

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